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    一、工作原理

    光在半導體中傳播時的衰減是由于價帶電子吸收光子而從價帶躍遷到導帶的結果，這種吸收光子的過程稱為本征吸收。硅的本征吸收系數隨入射光波長變化，在紅外部分吸收系數小，紫外部分吸收系數大。這就表明，波長短的光子衰減快，穿透深度較淺，而波長長的光子則能進入硅的較深區域。

    淺的P-N結有較好的藍紫光靈敏度，深的P-N結則有利于紅外靈敏度的提高，半導體色敏器件正是利用了這一特性。

    淺結的即是光電二極管對紫外光的靈敏度高,而紅外部分吸收系數較小,這類波長的光子則主要在深結區被吸收。因此，深結的那只光電二極管對紅外光的靈敏度較高。

    二、短路電流比—波長特性

    短路電流比—波長特性是表征半導體色敏器件對波長的識別能力，是賴以確定被測波長的基本特性。

    三、溫度特性

    由于半導體色敏器件測定的是兩只光電二極管短路電流之比，而這兩只光電二極管是做在同一塊材料上的，具有相同的溫度系數，這種內部補償作用使半導體色敏器件的短路電流比對溫度不十分敏感，所以通常可不考慮溫度的影響。