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訂 貨 號(hào):ISL9V2040D3ST 品牌:ST/意法半導(dǎo)體
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 10 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 450 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±14V |
最大功率耗散 | 130 W |
封裝類(lèi)型 | DPAK (TO-252) |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
通道類(lèi)型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |