2008年6月9日,飛思卡爾半導體宣布,它與幾大風險投資公司合作,成立一家主營MRAM(磁阻隨機存取存儲器)業(yè)務的獨立公司。新公司名為EverSpin Technologies,將繼續(xù)交付并擴大它當前獨立的MRAM及相關磁阻產品組合。飛思卡爾將把MRAM技術、相關知識產權和產品轉讓給EverSpin Technologies,并持有新公司的股份。飛思卡爾將繼續(xù)開發(fā)基于EverSpin的MRAM技術的嵌入式產品。對EverSpin進行投資的風險投資公司包括:New Venture Partners、Sigma Partners、 Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures。
飛思卡爾是MRAM技術的領先者,而且是市場上唯一的批量提供商。MRAM采用與傳統(tǒng)硅電路結合的磁性材料,在單一、無限耐久性器件中提供帶非易失性閃存的高速SRAM。MRAM器件在設計中把非易失性和RAM的最佳功能結合起來,實現新類型智能電子器件的“即時啟動”和功率損耗保護功能。
“MRAM是有別于半導體市場上,用于獨立內存和嵌入式產品的大多數應用的一種技術?！憋w思卡爾半導體高級副總裁兼首席技術官Lisa Su表示,“成立新公司是為了助推MRAM在整個新應用套件的采用?！?/p>
“現有的飛思卡爾MRAM產品在市場上發(fā)揮了重要推動作用,飛思卡爾意識到成立一家主營該業(yè)務的獨立公司有助于擴大業(yè)務機會?！?New Venture Partners執(zhí)行合伙人Steve Socolof表示,“飛思卡爾的MRAM產品具有的獨特性能和出色的可靠性,使EverSpin成為一個很好的投資機會。我們很高興與飛思卡爾合作,提供擴大EverSpin產品組合及技術路線圖需要的支持和資源?！?/p>
“MRAM對商用和消費電子器件的開發(fā)及上市方式具有很大影響?！?EverSpin Technologies首席運營官Saied Tehrani表示,“EverSpin團隊期待在飛思卡爾內部取得更大的技術成功和市場成功?！?/p>
根據協(xié)議,EverSpin Technologies將擁有位于亞利桑那州Chandler的MRAM生產廠房的所有權。EverSpin將繼續(xù)為飛思卡爾現有的獨立MRAM客戶供應產品。此外,它還將為飛思卡爾嵌入式產品提供MRAM技術。
2006年發(fā)布的飛思卡爾MR2A16A 4Mbit產品,是全球第一款高性能的MRAM產品,曾先后榮獲《設計新聞》(Design News)的“金捕鼠器”(Golden Mouse Trap )年度產品獎；2007年研發(fā)100強獎；2006年《Electronic Products》年度產品獎；2007年 EE Times中國存儲器年度產品獎；LSI 2007年優(yōu)勝獎以及ESEC(日本)和2007 In-Stat/Microprocessor Report的年度創(chuàng)新產品獎。 此外,飛思卡爾的MRAM器件還最終入圍EDN的2006年創(chuàng)新獎和EE Times的 2006 ACE獎評選。
