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on semiconductor 的全新系列混合式具有創(chuàng)新的場(chǎng)截止柵極、并且采用了 sic sbd 技術(shù)、可為硬切換應(yīng)用提供最佳性能。該器件與 sic 肖特基勢(shì)壘二極管共同封裝基于硅的的晶體管、從而在基于硅的解決方案的低性能和完全基于 sic 的解決方案的更高成本之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡。

使用 sic 肖特基勢(shì)壘二極管進(jìn)行復(fù)印
超低反向恢復(fù)損耗
最大接點(diǎn)溫度：TJ = 175 °C
更高的可靠性
極低的切換和傳導(dǎo)損耗
正溫度系數(shù)
嚴(yán)格的參數(shù)分布
應(yīng)用
汽車
工業(yè)，變頻器
交流-直流轉(zhuǎn)換器
pfc 、圖騰柱無(wú)橋接
硬切換