這種 N 通道增強模式功率 MOSFET 采用專有平面條帶和 DMOS 技術制造。這項 Advanced MOSFET 技術經過特別定制,可降低電阻,并提供卓越的開關性能和高雪崩能量。這些器件適用于 Switched Mode 電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
5.4A 、 900V 、 RDS (開) =2.3 Ω (最大) @VGS =10V , ID =2.7A
低柵電荷(典型值) 31 常閉)
低 CMSS (典型 13 pF )
應用
照明
屬性 | 數值 |
---|---|
封裝類型 | D2PAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 158 W |
引腳數目 | 2 + Tab |
每片芯片元件數目 | 1 |