當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):IPB60R120P7ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
此 Infineon 600V cool mos P7 超結(jié) mosfet 可在設(shè)計(jì)過(guò)程中繼續(xù)兼顧高效率和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ? 7th 系列平臺(tái)固有的低柵極電荷 (qg) 確保了其高效率。
它具有堅(jiān)固的主體二極管
集成式設(shè)計(jì)可降低 mosfet 振蕩?kù)`敏度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 26 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.12. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |