屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.1 A,3.7 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 180 mΩ, 330 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 2.45 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 3.9 nC @ 10 V,6.4 nC @ 10 V |
長度 | 3.08mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 2.075mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |