DiodesZetex 生產(chǎn)的新一代雙 N 溝道增強模式 MOSFET,旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ,同時保持卓越的開關性能,是高效電源管理應用的理想之選。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 TO252 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。溫度最高可達 +175°C,特別適合于高溫環(huán)境。100% 無鉗位電感開關,確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應用
最大漏極-源極電壓 40 V,最大柵極-源極電壓 ±20 V 導通電阻低 切換速度快
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 79 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | TO-252 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.019 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |