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Microchip VN2460N8-G MOSFET

訂 貨 號：VN2460N8-G      品牌：Microchip

庫存數量：10             品牌屬性：進口

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Microchip VN2460N8-G MOSFET
產品詳細信息

這款增強型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關和放大應用。

無次級擊穿
低功率驅動要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 200 mA
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-243AA
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 25 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 1.6 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
寬度 2.6mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
長度 4.6mm
暫無

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