半橋 NexFET 電源塊
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 70 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | LSON-CLIP |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1.2V |
最小柵閾值電壓 | 0.75V |
最大功率耗散 | 6 W |
晶體管配置 | 雙基座 |
最大柵源電壓 | -8 V,+10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 3.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 11 nC,19 nC |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
寬度 | 3.4mm |