屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續漏極電流 | 1 A,850 mA |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 1.45 Ω, 900 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最大功率耗散 | 1.36 W |
晶體管配置 | 全橋 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 4mm |
每片芯片元件數目 | 4 |
長度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 2.9 nC @ 10 V,3.5 nC @ 50 V |