屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 28 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 32 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 3.4 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數目 | 1 |
長度 | 6.2mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 6.7mm |
典型柵極電荷@Vgs | 21.3 nC @ 10 V |