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訂 貨 號(hào):VN10KN3-G 品牌:Microchip
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Microchip Technology 通孔安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產(chǎn)品、在 5ohms 柵源電壓下具有 10V 的漏源電阻。它具有 60V 的放電源電壓和 30V 的最大柵源電壓。它具有 310mA 的連續(xù)漏電流和 1W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 5V 和 10V 。MOSFET 是一種增強(qiáng)模式(通常關(guān)閉)晶體管、采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。該設(shè)備是所有 MOS 結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特征、不會(huì)出現(xiàn)熱失控和熱誘發(fā)的二次擊穿。此垂直 DMOS FET 已針對(duì)更低的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗進(jìn)行了優(yōu)化。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。
?易于并行
? 極好的熱穩(wěn)定性
?無(wú)需二次故障
?高輸入阻抗和高增益
?集成源排放二極管
?低 CISS 和快速切換速度
?低功率驅(qū)動(dòng)要求
?工作溫度范圍在 -55°C 和 150°C 之間
?放大器
? 轉(zhuǎn)換器
?驅(qū)動(dòng)器(繼電器、液壓錘、電磁閥、燈、存儲(chǔ)器、顯示器、雙極晶體管等)
?電機(jī)控制
?電源電路
? 開(kāi)關(guān)
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? JEDEC
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 310 mA |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類(lèi)型 | TO-92 |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 7.5 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 0.8V |
最大功率耗散 | 1 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 30 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
長(zhǎng)度 | 5.08mm |
寬度 | 4.06mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |