DiodesZetex 30V n 通道增強模式 mosfet 設(shè)計用于最大程度降低通態(tài)電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應(yīng)用。其柵 - 源電壓為 8 v 、熱功耗為 0.4 w 。
低 vgs ( th )、可直接從電池驅(qū)動
esd 保護門
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 900 mA |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT-23 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.73 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 0.95V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |