屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 680 mA |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | SOT-563 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 25 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 530 mW |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -6 V、+6 V |
寬度 | 1.25mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
長度 | 1.7mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 0.62 nC @ 4.5 V |