屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續漏極電流 | 1.5 A,1.8 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SM |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 300 mΩ, 425 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 1.7 W |
晶體管配置 | 全橋 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數目 | 4 |
長度 | 6.7mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 1.65 nC @ 5 V,2.4 nC @ 5 V |
寬度 | 3.7mm |
最高工作溫度 | +150 °C |