屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 100 A |
最大漏源電壓 | 25 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 6 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1.6V |
最大功率耗散 | 2.2 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -8 V,+10 V |
每片芯片元件數目 | 1 |
寬度 | 6mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 12.5 nC @ 4.5 V |
長度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |