屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.1 A,5.2 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | TSOT-26 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 56 mΩ, 168 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 1.1 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
長度 | 2.95mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數目 | 2 |
寬度 | 1.65mm |
典型柵極電荷@Vgs | 12 nC @ 10 V,14 nC @ 10 V |