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Infineon SPD09P06PLGBTMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SPD09P06PLGBTMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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Infineon SPD09P06PLGBTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信號(hào) P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強(qiáng)模式、連續(xù)漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車工業(yè)。

· 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表）
· 無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 9.7 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 400 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 42 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 14 nC @ 10 V
長度 6.73mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +175 °C
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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