屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 1.1 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOT-23 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 400 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 806 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 1.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 3.2 nC @ 5 V,5.9 nC @ 10 V |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 3.05mm |