PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu),可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù),這些設(shè)備的 FOM(品質(zhì)因素)顯著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 11 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 13 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2500 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
典型柵極電荷@Vgs | 44 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 4mm |
長度 | 5mm |
最高工作溫度 | +150 °C |