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Vishay SIS468DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIS468DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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Vishay SIS468DN-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

N 通道 MOSFET,中等電壓/ThunderFET?,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PowerPAK 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 32 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 52 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 3.4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 18.1 nC @ 10 V
長度 3.4mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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