Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件，以及可應對幾乎所有電路板布局和散熱設計難題的外形尺寸。在整個系列內，電阻基準降低了傳導損耗，使設計人員能夠提供最佳的系統效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 31 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | IPAK (TO-251) |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 65 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 2.3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 63 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.6mm |
