Infineon 的 StrongIRFE 系列經過優化,RDS(接通)低且載流能力高。 此組合提供更高的柵極、雪崩和動態 dv/dt 耐受性,特別適用于性能和強健性非常重要的工業低頻應用,包括電動機驅動器、電動工具、逆變器和電池管理。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 240 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 7 |
最大漏源電阻值 | 1.4 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.7V |
最小柵閾值電壓 | 2.1V |
最大功率耗散 | 375 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 9.65mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 236 nC @ 10 V |
長度 | 10.67mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
每片芯片元件數目 | 1 |