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Microchip DN3135K1-G MOSFET

訂 貨 號：DN3135K1-G      品牌：Microchip

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Microchip DN3135K1-G MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Supertex N 通道耗盡型 MOSFET 晶體管

Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗盡型 DMOS FET 晶體管適用于要求高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和切換速度快的應用。

特點

高輸入阻抗
低輸入電容
切換速度快
低接通電阻
無次級擊穿
低輸入和輸出泄漏

典型應用

常開開關
固態(tài)繼電器
轉(zhuǎn)換器
線性放大器
恒定電流源
電源電路
電信

DN3135 是一款低閾值耗盡型（常開）晶體管，采用先進的垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關和放大應用。

高輸入阻抗
低輸入電容
切換速度快
低接通電阻
無次級擊穿
低輸入和輸出泄漏

MOSFET 晶體管，Microchip


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 72 mA
最大漏源電壓 350 V
封裝類型 SOT
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 35 Ω
通道模式 消耗
最大功率耗散 360 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -3.5 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 3.04mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.4mm
暫無

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