當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):IXTY2N65X2 品牌:艾賽思_IXYS
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
與功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 類功率 MOSFET 系列可顯著減小電阻和柵極電荷,從而降低損耗并提高操作效率。 這些堅(jiān)固的設(shè)備包含本征二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。 X2 類功率 MOSFET 提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離類型,具有高達(dá) 120A(650V 時(shí))額定值。 典型應(yīng)用包括:直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波、太陽能逆變器、溫度和照明控制。
極低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
本質(zhì)整流器二極管
低本質(zhì)柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.3 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 55 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 7.12mm |
典型柵極電荷@Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
長(zhǎng)度 | 6.73mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |