Infineon SIPMOS? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能,可能包括增強模式、連續(xù)漏極電流(約低至 80A)及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應用,包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設備以及汽車工業(yè)。
· 符合 AEC Q101 標準(請參閱數(shù)據(jù)表)
· 無鉛引線電鍍,符合 RoHS 標準
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 15 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 240 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2.1V |
最大功率耗散 | 128 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 37 nC @ 10 V |
長度 | 10.36mm |
寬度 | 4.57mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +175 °C |