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訂 貨 號(hào):FQD11P06TM 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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在半導(dǎo)體方面, P 通道 MOSFET 采用半導(dǎo)體專有的高細(xì)胞密度 DMOS 技術(shù)制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻,從而為快速交換提供堅(jiān)固可靠的性能。
?電壓控制的 P 通道小信號(hào)開關(guān)
?高密度單元設(shè)計(jì)
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅(jiān)固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術(shù)
?負(fù)載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護(hù)
?電源管理控制
?直流電機(jī)控制
在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 9.4 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 185 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 2500 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
長度 | 6.6mm |
典型柵極電荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 6.1mm |
晶體管材料 | Si |