Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi),基準導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 6.5 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT-223 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 31 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2.1 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -16 V、+16 V |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 3.7mm |
長度 | 6.7mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |