Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件,以及可應(yīng)對幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計難題的外形尺寸。在整個系列內(nèi),電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗,使設(shè)計人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 74 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 20 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 200 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |