Fairchild 使用超級結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能,適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用,如服務(wù)器、電信、計算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應(yīng)用。
利用先進的電荷平衡技術(shù),設(shè)計人員可實現(xiàn)更高效經(jīng)濟的高性能解決方案,可占用更少板空間并提高可靠性。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.5 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | IPAK (TO-251) |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 900 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 2.5V |
最大功率耗散 | 52 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 6.8mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 13.1 nC @ 10 V |
寬度 | 2.5mm |
晶體管材料 | Si |