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onsemi FCPF36N60NT MOSFET

訂 貨 號(hào)：FCPF36N60NT      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi FCPF36N60NT MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SupreMOS? MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超級(jí)結(jié) MOSFET - SupreMOS?。
與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和總柵極電荷讓品質(zhì)因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列為相同的 RDS（接通）提供低柵極電荷，提供極佳的切換性能，切換和傳導(dǎo)損耗降低 20%，從而獲得更高的效率。
這些特征讓電源符合用于臺(tái)式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類(lèi)和用于服務(wù)器的白金分類(lèi)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類(lèi)型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 36 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類(lèi)型 TO-220F
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 81 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
典型柵極電荷@Vgs 86 nC @ 10 V
寬度 4.9mm
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 10.36mm
暫無(wú)

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