STripFET? MOSFET,帶寬擊穿電壓范圍,可提供超低柵極電話和低接通電阻。
屬性 | 數值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 4 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 80 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -16 V、+16 V |
典型柵極電荷@Vgs | 12.5 nC @ 5 V |
長度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數目 | 2 |
寬度 | 4mm |