OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機應(yīng)用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。
快速切換 MOSFET,用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù),用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道,邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導(dǎo)通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 120 A |
最大漏源電壓 | 75 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.8V |
最小柵閾值電壓 | 2.3V |
最大功率耗散 | 300 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 155 nC @ 10 V |
長度 | 10.31mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 9.45mm |