雪崩耐受技術(shù)
耐用柵極氧化物技術(shù)
低輸入電容
改進了柵極電荷
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.3 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | SOT-223 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 200 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 2.4 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 3.7mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 6.7mm |
典型柵極電荷@Vgs | 16 nC @ 10 V |
晶體管材料 | Si |