在半導(dǎo)體方面, P 通道 MOSFET 采用半導(dǎo)體專有的高細胞密度 DMOS 技術(shù)制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻,從而為快速交換提供堅固可靠的性能。
?電壓控制的 P 通道小信號開關(guān)
?高密度單元設(shè)計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術(shù)
?負載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 460 mA |
最大漏源電壓 | 25 V |
封裝類型 | SOT-23 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.1 Ω |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 0.65V |
最大功率耗散 | 350 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | +8 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | Si |
長度 | 2.92mm |
典型柵極電荷@Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V |
寬度 | 1.3mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |