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onsemi NTLJD3119CTBG MOSFET

訂 貨 號：NTLJD3119CTBG      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

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onsemi NTLJD3119CTBG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor

NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道，非常適用于低控制信號，低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能，可以由低至 1.5V 的邏輯信號驅(qū)動，而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。

MOSFET 晶體管，ON Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N，P
最大連續(xù)漏極電流 4.1 A，4.6 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 WDFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 120 mΩ, 200 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.3 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
寬度 2mm
每片芯片元件數(shù)目 2
典型柵極電荷@Vgs 3.7 nC @ 4.5 V，5.5 nC @ 4.5 V
長度 2mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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