一系列 IXYS Polar3? 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二極管 (HiPerFET?)
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 192 A |
最大漏源電壓 | 300 V |
封裝類型 | SOT-227B |
安裝類型 | 螺絲安裝 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 14.5 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最大功率耗散 | 1.5 kW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 25.07mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
長度 | 38.23mm |
典型柵極電荷@Vgs | 268 nC @ 10 V |