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onsemi FDS5672 MOSFET

訂 貨 號：FDS5672      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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onsemi FDS5672 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

特性:

此 N 溝道 MOSFET 專為提高 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的總體效能而設(shè)計，可以使用同步開關(guān) PWM 控制器，也可以使用傳統(tǒng)開關(guān) PWM 控制器。它經(jīng)過了優(yōu)化，可實現(xiàn)低門極電荷、低 rDS(ON) 和快速開關(guān)。
RDS(ON) = 10mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 12A
RDS(ON) = 14mΩ（典型值），VGS = 6V，ID = 10A
高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(on)
低柵極電荷
高功率和高電流處理能力

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 12 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 10 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4mm
典型柵極電荷@Vgs 34 nC @ 10 V
暫無

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