屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 35 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | ATPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 37 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.6V |
最大功率耗散 | 40 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -10 V、+10 V |
典型柵極電荷@Vgs | 34.5 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 7.3mm |
每片芯片元件數目 | 1 |
長度 | 6.5mm |