Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術,F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 10 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | IPAK (TO-251) |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 180 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2500 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
寬度 | 2.3mm |
長度 | 6.6mm |