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訂 貨 號:IRLS4030TRLPBF 品牌:國際整流器_IR
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 180 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 4.5mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 370 W |
最大柵源電壓 | -16 V、+16 V |
典型柵極電荷@Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
長度 | 10.67mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 9.65mm |