屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 200 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 2.2 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2V |
最小柵閾值電壓 | 1.2V |
最大功率耗散 | 110 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
長度 | 5.1mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 32 nC @ 4.5 V, 70 nC @ 10 V |
寬度 | 6.1mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |