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訂 貨 號(hào):IRLML6401TRPBF 品牌:國際整流器_IR
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.3 A |
最大漏源電壓 | 12 V |
封裝類型 | 微型 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 50 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 0.95V |
最小柵閾值電壓 | 0.4V |
最大功率耗散 | 1.3 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -8 V、+8 V |
典型柵極電荷@Vgs | 10 nC @ 5 V |
長度 | 3.04mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 1.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |