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產(chǎn)品分類(lèi)

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Infineon IPP041N12N3GXKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPP041N12N3GXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPP041N12N3GXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 120 A
最大漏源電壓 120 V
封裝類(lèi)型 TO-220
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 4.1 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 300 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.57mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 158 nC
長(zhǎng)度 10.36mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無(wú)

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