屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | WDFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 72 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 40 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 3.15mm |
長度 | 3.15mm |
典型柵極電荷@Vgs | 14 nC @ 4.5 V,25 nC @ 10 V |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +175 °C |