高電壓,N 通道 MOSFET,帶低通態(tài)電阻和高切換性能。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 7 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-220F |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.35 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最大功率耗散 | 42 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 18.4 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | Si |
長度 | 10.71mm |
寬度 | 4.93mm |