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Infineon IPD80R1K0CEATMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPD80R1K0CEATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Infineon IPD80R1K0CEATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 5.7 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 950 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.9V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大功率耗散 83 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 6.73mm
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 31 nC @ 10 V
暫無

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