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MagnaChip MDP15N60GTH MOSFET

訂 貨 號:MDP15N60GTH      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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MagnaChip MDP15N60GTH MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

高電壓 (HV) MOSFET

高電壓,N 通道 MOSFET,帶低通態(tài)電阻和高切換性能。

MOSFET 晶體管,MagnaChip


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 15 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 400 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最大功率耗散 231.4 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 10.67mm
晶體管材料 Si
寬度 4.83mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 49 nC @ 10 V
暫無

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