碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的靜電釋放源接通電阻,用于 1200V 額定電壓,并具有極佳的切換性能,可轉(zhuǎn)換為更高效率和緊湊的系統(tǒng)。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 45 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | Hip247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 100 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大功率耗散 | 270 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -10 V, +25 V |
寬度 | 5.15mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +200 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 105 nC @ 20 V |
長度 | 15.75mm |